碳化硅襯底生產通常有以下幾個步驟：

1）長晶：有物理氣相法（PVT）、化學氣相沉積法（HTCVD）和液態法（LPE）。物理氣相傳輸法是目前技術很成熟的碳化硅單晶生長方法，也是研究、開發和生產大尺寸SIC單晶的主要方法，國內外多家企業已經實現6-8英寸碳化硅單晶的產業化生產，但該方法生產的sic單晶仍然存在相當數量的缺陷，如微管、位錯、寄生、多型等等，導致sic單晶片的價格十分昂貴。鑒于PVT法的一些問題，近幾年液態法生長碳化硅是得到越來越的重視，基本原理是碳（溶質）被溶解在硅和助溶劑組成的高溫溶劑液體中，碳（溶質）因過飽和而在碳化硅籽晶處析出，同時因晶格庫倫場的作用攜帶出硅原子，實現碳化硅晶體的生長。該方法具有生長溫度低，結晶質量高、生長速度快，可以在短時間內生長出尺寸達數厘米級的大尺寸碳化硅單晶，通過嚴格控制反應條件，可以生長出高質量、低缺陷度的晶體，此外，液相生長法還可以制備不同形狀和結構的碳化硅單晶片，如平板、立方體、三棱柱等。

2）切片：生長好的碳化硅單晶棒需要切除頭尾料，然后滾磨成所需的直徑大小，切平邊或者V槽后，再切成襯底片。目前通常用砂漿線切割和金剛石線切割技術。

3）研磨：切片后需要通過研磨來去除切割面的損傷層，以保障襯底片表面的質量，大概去除50um。

4）腐蝕：腐蝕是為了進一步去除切割和研磨造成的損傷層，以便為一下步的拋光工藝做好準備。腐蝕通常有堿腐蝕和酸腐蝕，目前由于環保因素，大多數都采用堿腐蝕。腐蝕的去除量會達到30-40um，表面粗糙度也可以達到微米級。

5）拋光：拋光是襯底片生產的一道重要工藝，拋光是通過CMP（Chemical Mechanical Polished ）技術進一步提高硅片的表面質量，使其達到生產芯片的要求，拋光后表面粗糙度通常Ra<5A。

6）清洗包裝：由于集成電路線寬越來越小，因此對提高的顆粒度指標要求也越來越高，清洗包裝也是硅片生產的一道重要工藝，通過超聲清洗能夠洗凈附著在硅片表面>0.3um以上的大部分顆粒，再通過免清洗的卡塞盒真空密封包裝或者沖惰性氣體包裝，從而使硅片表面的潔凈度達到集成電路的要求。